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當前電子設備正朝著高頻化（毫米波、太赫茲）、微型化、高可靠三大方向突破 ——5G 基站需要低損耗的毫米波模塊，航空航天雷達需要抗惡劣環境的高頻電路，這些需求都對封裝工藝提出了嚴苛要求。
而 LTCC（低溫共燒陶瓷）與 HTCC（高溫共燒陶瓷）作為兩種主流多層陶瓷封裝技術，始終是高頻領域的 “核心備選方案”：前者以低損耗、高集成度適配高頻信號傳輸，后者以高熱導、耐高溫支撐極端場景。但如何根據具體需求選擇？兩者在工藝、性能、成本上的差異究竟如何？
本文將從技術原理、工藝流程切入，通過多維度對比明確兩者核心差異，再結合高頻領域實際應用場景，給出清晰的工藝選型邏輯，助力解決封裝方案的 “選擇難題”。
要理解兩者的差異，需先明確其技術本質 —— 同為多層陶瓷封裝，但 “燒結溫度” 的不同，決定了材料選擇、工藝路線與性能偏向的根本區別。
LTCC 技術通過在陶瓷材料中添加玻璃質助熔劑，將燒結溫度降至 850°C~900°C（遠低于陶瓷本身的燒結溫度），實現 “陶瓷基板 + 高電導率金屬（銀、金、銅）” 的一次性共燒，最終形成多層三維電路結構。
其關鍵優勢源于 “低溫特性”：無需使用耐高溫但低導電的金屬（如鎢、鉬），可直接搭配銀、金等高頻損耗極低的導體，同時支持埋置電阻、電容、電感等無源元件，大幅提升高頻電路集成度。
1. 生瓷帶制備：將陶瓷粉末（如氧化鋁、氮化鋁）、玻璃助熔劑與有機粘結劑混合，通過流延工藝制成厚度 50~200μm 的柔性薄片，作為電路基底；
2. 微通孔加工：用激光或機械鉆孔技術，在生瓷帶上鉆出直徑 50~100μm 的微通孔（Via），用于層間電路互連；
3. 填孔與導體印刷：通過絲網印刷將銀 / 金導電漿料填入通孔，同時在生瓷帶表面印刷電路走線、電極圖形（線寬 / 線距可做到 50μm 以下）；
4. 疊層與壓合：按電路設計順序將印刷好的生瓷帶對齊疊放，在 10~30MPa 壓力、60~80°C 溫度下熱壓，使各層緊密結合成整體坯體；
5. 低溫共燒：將坯體放入燒結爐，按 “排膠（去除有機粘結劑）→燒結（850~900°C 致密化）→降溫” 曲線處理，最終形成堅硬的多層陶瓷基板；
6. 后處理與組裝：對基板表面電鍍鎳金（增強可焊性與抗氧化性），再通過 SMT（表面貼裝技術）組裝芯片、SMD 器件，完成高頻模塊制造。
HTCC 技術無需添加玻璃助熔劑，依賴陶瓷材料（如高純氧化鋁、氮化硅）本身的高溫燒結特性，在 1600°C~1800°C 下完成燒結。由于燒結溫度極高，僅能搭配高熔點金屬（鎢、鉬、錳） 作為導體 —— 這類金屬雖能耐受高溫，但電導率僅為銀的 1/5~1/3，高頻信號損耗相對較大。
其核心價值在于 “高熱導與高穩定性”：陶瓷基板純度高（氧化鋁含量常達 95% 以上），熱導率可達 15~20W/mK（是 LTCC 的 2~3 倍），同時耐高溫、抗輻射，適合承載大功率高頻器件的散熱需求。
HTCC 流程與 LTCC 類似，但因 “高溫燒結” 特性，存在 3 處核心差異：
1. 生瓷帶成分：無玻璃助熔劑，以高純陶瓷粉末（如 99% 氧化鋁）為主，坯體硬度更高、脆性更大；
2. 導體材料：使用鎢、鉬等金屬漿料，印刷后需在惰性氣體（如氮氣）保護下燒結，避免金屬氧化；
3. 燒結溫度：核心燒結階段溫度達 1600~1800°C，燒結時間更長（通常 10~15 小時），能耗與工藝控制難度更高。
高頻領域選擇封裝工藝時，介電損耗、布線精度、高頻適配性是核心考量因素。以下從 8 個維度展開對比，重點標注高頻相關特性：
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| 對比維度 | LTCC（低溫共燒陶瓷） | HTCC（高溫共燒陶瓷） |
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| 燒結溫度 | 850°C~900°C，能耗低、工藝易控制 | 1600°C~1800°C，能耗高、需專業高溫爐 |
| 導體材料 | 銀、金、銅（電導率高，σ 銀≈6.3×10?S/m） | 鎢、鉬、錳（電導率低，σ 鎢≈1.8×10?S/m） |
| 介電損耗（高頻）| 極低（10GHz 下 tanδ≈0.002），高頻信號衰減小 | 較高（10GHz 下 tanδ≈0.008~0.01），高頻損耗明顯 |
| 布線精度 | 高（線寬 / 線距≥50μm），支持精細高頻電路 | 較低（線寬 / 線距≥100μm），精細布線難度大 |
| 熱導率 | 中（2~7W/mK），適合中低功率高頻器件 | 高（15~20W/mK），適合大功率高頻器件散熱 |
| 高頻適配性 | 優秀（適配毫米波、太赫茲，支持 AiP、FEM 等高頻模塊） | 一般（僅適配微波中低頻段，高頻損耗限制應用） |
| 成本 | 中等（材料成本高，但能耗、工藝成本低） | 較高（高溫能耗 + 鎢鉬材料貴，整體成本比 LTCC 高 30%~50%） |
| 可靠性 | 高（耐溫 - 55°C~125°C，抗振動） | 極高（耐溫 - 65°C~250°C，抗輻射、抗沖擊，適合極端環境） |
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結合上述對比，不同高頻應用場景的 “工藝偏好” 清晰可見 —— 核心是平衡 “高頻性能需求” 與 “環境 / 功率約束”，以下為 3 大典型場景的選擇建議：
5G 基站的Massive MIMO 天線（大規模多輸入多輸出） 、毫米波前端模塊（FEM）、天線內置封裝（AiP），以及 6G 的太赫茲通信組件，核心需求是 “低損耗 + 高集成”：
? 毫米波信號（24~77GHz）對損耗極敏感，LTCC 的低介電損耗（tanδ≈0.002）可將信號衰減控制在 5% 以內，遠優于 HTCC；
? 基站與終端設備要求小型化，LTCC 支持埋置無源元件（如電感、濾波器），可將模塊體積縮小 30%~50%，而 HTCC 布線精度低，難以滿足微型化需求。
典型應用：華為 5G 基站毫米波模塊、蘋果 iPhone 毫米波天線封裝均采用 LTCC 工藝。
航空航天領域的高頻需求分兩類，需針對性選擇：
1. 機載雷達（如相控陣雷達）：工作頻率多為 X 波段（8~12GHz），同時需耐受 - 55°C~85°C 溫度循環，LTCC 的低損耗 + 輕量化特性更適配，可減少雷達模塊重量（航空設備對重量敏感）；
2. 衛星通信 / 導彈制導：需在太空輻射、高溫（150°C 以上）環境下工作，且部分大功率雷達需散熱支持，此時 HTCC 的 “抗輻射 + 高熱導” 優勢凸顯 —— 例如北斗衛星的高頻信號處理模塊，就采用 HTCC 封裝以確保極端環境下的可靠性。
部分高頻場景同時伴隨大功率（如射頻功率放大器、高頻加熱設備），需兼顧 “高頻傳輸” 與 “散熱”：
? 若功率密度≤5W/cm2（如小型射頻模塊），LTCC 的熱導率（2~7W/mK）可滿足散熱，優先選 LTCC 以降低損耗；
? 若功率密度＞5W/cm2（如大功率雷達發射模塊），HTCC 的高熱導（15~20W/mK）能快速導出熱量，避免器件過熱失效 —— 此時需接受 HTCC 的高頻損耗，通過電路設計（如縮短傳輸路徑）彌補，或采用 “HTCC 基板 + LTCC 表層電路” 的混合方案。
為更好適配高頻領域需求，兩者均在針對性優化，未來技術突破將聚焦 3 個方向：
? 材料創新：開發無玻璃相的 LTCC 陶瓷（如氮化鋁基 LTCC），將熱導率提升至 15W/mK 以上，同時保持介電損耗≤0.0015，兼顧高頻與散熱；
? 工藝精細化：推動布線精度向 20μm 以下突破，支持更復雜的高頻電路集成，適配 6G 太赫茲場景。
? 導體材料改良：研發 “鎢 - 銀復合漿料”，在保持耐高溫特性的同時，將電導率提升 20%~30%，降低高頻損耗；
? 低溫化嘗試：通過添加少量納米級助熔劑，將 HTCC 燒結溫度降至 1200°C~1300°C，可兼容銅導體（電導率高于鎢），改善高頻性能。
未來高頻封裝將不再是 “二選一”，而是 “優勢結合”—— 例如用 HTCC 做底層基板（承擔散熱與結構支撐），LTCC 做表層電路（實現低損耗高頻傳輸），形成 “高熱導 + 低損耗” 的混合封裝，適配大功率高頻器件（如航空航天大功率雷達）。
LTCC 與 HTCC 并非 “替代關系”，而是 “互補關系”：在高頻領域，LTCC 是 “常規場景的最優解”—— 以低損耗、高集成滿足 5G/6G、常規雷達的需求；HTCC 是 “極端場景的必要解”—— 以高可靠、高熱導支撐太空、導彈等特殊環境。
對于電子封裝從業者而言，選擇工藝時無需糾結 “技術優劣”，關鍵是明確 3 個核心問題：工作頻率是否超過 10GHz？是否需要耐受極端環境？功率密度是否高于 5W/cm2？ 理清這三點，就能快速鎖定最適配的封裝方案 —— 這也是本文對比兩種技術的核心價值所在。