一、半導(dǎo)體行業(yè)概況

國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，但需求供給嚴(yán)重不平衡，高度依賴進(jìn)口，國產(chǎn)核心芯片自給率不足10%。

2000年和2020年中國集成電路市場(chǎng)占全球份額

5G和AI技術(shù)

科創(chuàng)板提供了硬科技企業(yè)投資退出渠道，資本市場(chǎng)積極布局包括半導(dǎo)體在內(nèi)的科創(chuàng)板熱點(diǎn)賽道

科創(chuàng)板行業(yè)分布

二、半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

三、AI芯片行業(yè)

AI芯片主要包括GPU、FPGA、ASIC三種技術(shù)路線，分為云端訓(xùn)練芯片、云端推理芯片和邊緣推理芯片

AI芯片下游應(yīng)用

AI芯片在邊緣側(cè)主要包括物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、智能安防、自動(dòng)駕駛四大應(yīng)用場(chǎng)景

AI芯片下游應(yīng)用

四、5G芯片

手機(jī)射頻前端芯片市場(chǎng)規(guī)模受單機(jī)射頻芯片價(jià)值增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)

在移動(dòng)終端設(shè)備穩(wěn)定出貨的背景下，隨著通信網(wǎng)絡(luò)向5G升級(jí)，射頻器件的數(shù)量和價(jià)值量都在增加，射頻前端芯片行業(yè)的市 場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)快速增長(zhǎng)，從2010年至2018年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模以每年約13.10%的速度增長(zhǎng)，到2020年接近190億美元

射頻前端各組件增速不同。濾波器作為射頻前端最大的細(xì)分市場(chǎng)，市場(chǎng)空間將從2018年的80億美元增長(zhǎng)到2023年的225億美元，年增長(zhǎng)率19%，這一增長(zhǎng)主要來自高質(zhì)量BAW濾波器的滲透;PA的市場(chǎng)空間將會(huì)從50億美金增長(zhǎng)到70億美金，年增 長(zhǎng)率7%，主要是高端和超高頻段PA市場(chǎng)的增長(zhǎng)，將彌補(bǔ)2G/3G市場(chǎng)的萎縮

全球射頻前端芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

目前，射頻前端市場(chǎng)集中度高，國外廠商占據(jù)了絕大部分的市場(chǎng)份額，貿(mào)易戰(zhàn)帶來的國產(chǎn)化需求是國內(nèi)射頻廠商最大 的機(jī)會(huì)

射頻前端的集成化使得未來收購、并購成為資本重要的退出手段，收購、并購也是芯片企業(yè)做大做強(qiáng)的途徑之一

五、物聯(lián)網(wǎng)芯片

物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展，具有通用性以及與物聯(lián)網(wǎng)連接相關(guān)的上游產(chǎn)業(yè)最先受益

隨著相關(guān)的通信標(biāo)準(zhǔn)的落地、通信和云計(jì)算技術(shù)的發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)已從最初的導(dǎo)入期進(jìn)入 現(xiàn)在的成長(zhǎng)期

從產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)的角度看，物聯(lián)網(wǎng)將從“快速聯(lián)網(wǎng)”到“規(guī)模聯(lián)網(wǎng)+應(yīng)用服務(wù)”，具有通 用性以及與物聯(lián)網(wǎng)連接相關(guān)的上游產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)將最先受益，包括通信芯片、傳感器、無線模組等

物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)

物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)圖譜

六、存儲(chǔ)芯片

2018年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模突破1600億美元，是半導(dǎo)體第一大領(lǐng)域，占30%，國際巨頭占據(jù)市場(chǎng)

存儲(chǔ)芯片行業(yè)圖譜

七、光芯片

高速率光芯片國產(chǎn)化率低，高功率激光芯片幾乎全部依賴進(jìn)口

高端(高速率、高功率)光芯片行業(yè)進(jìn)入壁壘高、投入大、周期長(zhǎng)、難度大，尤其是芯片的材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、芯片工 藝制程、芯片封裝等是光芯片研發(fā)與制造的核心

光芯片產(chǎn)業(yè)圖譜

八、車用芯片

汽車網(wǎng)聯(lián)化、智能化和電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì)推動(dòng)車用芯片向高頻、單片集成、低功耗等方向發(fā)展

九、第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體材料具有高壓、高頻、高溫性能，廣泛應(yīng)用于光電、射頻、功率領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料主要包括SiC、GaN、 金剛石等，因其禁帶寬度≥2.3電子伏 特(eV)，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材 料;第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、 高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、 高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，滿足現(xiàn)代電子技術(shù) 對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻、抗輻 射等惡劣條件的新要求

5G基站建設(shè)推動(dòng)GaN射頻市場(chǎng)高速增長(zhǎng)

射頻器件是無線通信設(shè)備的基礎(chǔ)性零部件，在無線通信中負(fù)責(zé)電磁信號(hào)和數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換和接收與發(fā)送，是無線連接的 核心

過去十年來，國防應(yīng)用一直是推動(dòng)GaN技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力，現(xiàn)在這些技術(shù)正在從軍用轉(zhuǎn)向商用 由于高頻性能優(yōu)異，未來大部分Sub-6GHz以下宏基站都將采用GaN器件，2019年至2021年為5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的關(guān)鍵期，也將是氮化鎵器件替換LDMOS的關(guān)鍵期

第三代半導(dǎo)體行業(yè)圖譜

十、MEMS芯片

MEMS芯片是新一代信息技術(shù)的感知

MEMS (Micro Electromechanical System)即微機(jī)電系統(tǒng)，是將微電子與精密機(jī)械結(jié)合發(fā)展起來的工程技術(shù)，尺寸在 1 微 米到 100 微米量級(jí)，采用了集成電路的先進(jìn)制造工藝，和傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，MEMS 具有微型化、產(chǎn)能高、可大批量生產(chǎn)、 成本低等優(yōu)勢(shì)

MEMS技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種傳感器芯片，核心功能是把物理信號(hào)轉(zhuǎn)換為電子設(shè)備能夠識(shí)別的電信號(hào)，是人工智能、物聯(lián) 網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)的感知基礎(chǔ)和數(shù)據(jù)來源，MEMS在生物、光學(xué)、射頻、機(jī)械等領(lǐng)域也有重要的應(yīng)用

美國、歐洲、日本三分MEMS天下，國內(nèi)MEMS產(chǎn)業(yè)還處于起步階段

國內(nèi) MEMS 產(chǎn)業(yè)鏈布局完整，但總體而言產(chǎn)業(yè)還處于發(fā)展的起步階段

設(shè)計(jì)和代工環(huán)節(jié)有待加強(qiáng)，代工制造以6英寸和8英寸產(chǎn)線為主，封測(cè)環(huán)節(jié)具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力

產(chǎn)品在精度和敏感度等性能指標(biāo)上與國外存在很大的差距，應(yīng)用領(lǐng)域正從手機(jī)、汽車走向VR/AR、物聯(lián)網(wǎng)

2018年全球MEMS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

十一、半導(dǎo)體設(shè)備

晶圓制造是設(shè)備占比最大的環(huán)節(jié)，光刻、刻蝕、薄膜沉積占比最大，行業(yè)巨頭集中

十二、半導(dǎo)體材料

晶圓制造和封裝材料市場(chǎng)細(xì)分多，單一細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模小，行業(yè)巨頭集中

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)更細(xì)分，單一產(chǎn)品的市場(chǎng)空間很小，少有純粹的半導(dǎo)體材料公 司;半導(dǎo)體材料往往只是某些大型材料廠商的一小塊業(yè)務(wù)，例如陶氏化學(xué)公 司，杜邦，三菱化學(xué)，住友化學(xué)等公司，半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)只是其電子材料事業(yè) 部下面的一個(gè)分支;盡管如此，由于半導(dǎo)體工藝對(duì)材料的嚴(yán)格要求，就單一半 導(dǎo)體化學(xué)品而言，僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商可以提供產(chǎn)品

硅片巨頭集中在日本、韓國、德國、 中國臺(tái)灣;中國大陸僅有少數(shù)幾家企 業(yè)具備8英寸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能 力，而12英寸半導(dǎo)體硅片主要依靠進(jìn)口